[KEC]
1. 주가 흐름
2. 기업 개요
[주요 사업]
▶ 전력반도체 제조 : 다이오드, 트랜지스터, MOSFET, IGBT 등 전력반도체 소자를 직접 설계·생산하는 국내 유일의 자체생산시설 보유 전력반도체 중견기업입니다. 가전, 자동차, 산업용 전력변환 시스템에 핵심 부품을 공급합니다.
▶ 차세대 SiC 전력반도체 개발 : 전기차·신재생에너지용 1200V급 트렌치형 SiC(탄화규소) MOSFET을 국내 최초로 개발하여, 글로벌 전력반도체 국산화를 선도하고 있습니다.
▶ 게이트 드라이버 IC : 국내 최초로 부트스트랩 다이오드(BSD) 내장형 게이트 드라이버 IC를 개발·양산하며, IGBT와 결합한 토탈 전력 솔루션을 제공합니다.
[기업 기본 정보]
▶ 기업명 : (주)케이이씨 (KEC CORPORATION)
▶ 상장 구분 : 코스피 (KOSPI, 종목코드 092220)
▶ 설립일 : 2006년 9월 12일 (인적분할, 전신 한국전자 1969년 설립)
▶ 회사 소재지 : 서울특별시 서초구 마방로10길 5 (본사) / 경북 구미시 (구미공장)
▶ 대표자 : 이종홍 (대표이사)
[최근 시장 관심 이유]
▶ SiC 전력반도체 공급 확대 : 2025년 2월 글로벌 완성차 업체향 SiC 부문 공급 물량 확대 소식에 상한가를 기록했습니다. 테슬라 등 글로벌 전기차 업체와의 협업 가능성이 제기되며 전력반도체 국산화 테마의 핵심주로 부각되었습니다.
▶ 전기차 전장용 IGBT 공급 확대 : 전장용 파워 반도체 시장 확보를 위해 구미공장에 8인치 IGBT 공정에 대규모 투자를 단행하고, 해외 생산거점에 차세대 어셈블리 파일럿 라인을 구축하고 있습니다.
▶ 전력반도체 국산화 선도 : 국내 전력반도체 중견기업 중 유일하게 전·후공정 자체 생산시설을 보유하며, 국책과제 주관기관으로서 SiC MOSFET 국산화를 추진하고 있습니다.
3. 주요 연혁
| 일 자 | 내 용 |
| 1969.09 | 한국도시바(주) 설립 (KEC 전신, 구미국가산업단지 입주 1호 기업) |
| 1970.03 | 트랜지스터 생산 개시, 도시바 실리콘 트랜지스터 기술 도입 |
| 1974.03 | 한국전자(주)로 사명 변경 |
| 1979.10 | 기업 공개 및 주식 공모 |
| 1984 | KEC종합연구소 설립 |
| 2000.05 | 한국전자(주)에서 KEC로 사명 변경 |
| 2006.09 | 제조사업부문 인적분할 → (주)케이이씨 설립 |
| 2022.04 | 국내 최초 SiC 전력반도체 국산화 성공 발표 |
| 2025.02 | 글로벌 완성차 업체향 SiC 공급 확대 소식에 상한가 기록 |
4.사업개요
[핵심 사업]
▶ 전력반도체(Power Semiconductor) 제조 : 다이오드, 정류기, 트랜지스터, MOSFET, IGBT 등 전력변환에 사용되는 반도체 소자를 직접 설계부터 전·후공정 생산까지 일관 체제로 제조합니다. 삼성전자, LG전자, 현대모비스 등 국내 주요 가전·자동차 기업과 소니, 파나소닉, BYD 등 해외 대형 고객사에 납품합니다.
▶ 차량용 전력반도체 : 전기차·하이브리드차의 전력변환 시스템(인버터, 컨버터, OBC)에 탑재되는 차량용 IGBT와 파워 모듈을 공급합니다. 자동차의 전장화 확대에 따라 차량용 제품의 매출 비중이 점진적으로 증가하고 있습니다.
▶ SiC(탄화규소) 전력반도체 : 차세대 와이드밴드갭(WBG) 소재인 SiC를 활용한 1200V급 트렌치형 MOSFET을 국내 최초로 개발했습니다. 글로벌 시장에서 트렌치 구조 SiC를 양산할 수 있는 기업은 독일 인피니언, 일본 로옴 등 극소수에 불과합니다.
[핵심 기술력 및 기술 난도]
▶ 전·후공정 일관 생산 체제 : 국내 전력반도체 중견기업 중 유일하게 웨이퍼 제조(전공정)부터 패키징(후공정)까지 자체 시설을 보유하고 있습니다. SiC 제품의 경우 자체적으로 70%의 공정을 확보했으며, 나머지 30%는 국내 부산테크노파크에 위탁합니다.
▶ 타사 대비 차별점 : 50년 이상의 전력반도체 제조 역사를 바탕으로 Si 기반 다이오드·트랜지스터부터 차세대 SiC MOSFET까지 폭넓은 제품 포트폴리오를 보유하고 있으며, 국책과제 주관기관으로서 정부 지원 하에 SiC 국산화를 선도하고 있습니다.
▶ 기술 난도 : SiC MOSFET은 실리콘 대비 결정 결함 밀도가 높아 양산 수율 확보가 어렵고, 트렌치 구조는 게이트 산화막 신뢰성 문제로 글로벌 선두 업체만 양산 기술을 보유하고 있습니다. 차량용 인증(AEC-Q101)까지 요구되어 진입장벽이 매우 높습니다.
[신규 사업]
▶ SiC MOSFET 양산 사업화 : 국내외 기관과의 계약을 통해 SiC MOSFET 사업화를 가속하고 있습니다. 설비투자를 단행하여 전장부품사, 완성차 기업, SiC 팹리스 기업을 신규 고객으로 확보할 계획입니다.
▶ 게이트 드라이버 IC + IGBT 솔루션 : BSD 내장형 게이트 드라이버 IC와 IGBT를 결합한 토탈 파워 솔루션으로 국내 가전 고객사 내 국산화를 확대하고 있습니다.
5. 주요 제품 매출 구성
| 사업부문 | 주요제품 | 2023년 | 2024년 | 2025년 | |
| 제품매출 | TR | 트랜지스터·MOSFET | 101,021 | 119,271 | 113,523 |
| IC | 집적회로·게이트드라이버 | 57,902 | 72,136 | 63,620 | |
| 기타 | 다이오드·정류기 등 | 46,801 | 50,299 | 49,700 | |
| 상품매출 | 기타 상품 | 1,211 | 1,464 | 2,774 | |
| 합 계 | - | 206,935 | 243,170 | 229,617 | |
* 단위: 백만원 (DART 사업보고서 기준)
6-1. 연간 재무
6-2. 분기 재무
7. 주주 및 임원 정보
[주주현황] (2024년 12월 기준)
| 성명 | 관계 | 주식수 | 지분율 |
| 한국전자홀딩스 | 최대주주 | 59,406,058 | 29.59% |
| 광양 | 기타 | 1,760,343 | 0.88% |
| 곽서준 | 친인척 | 949,223 | 0.47% |
| 곽상욱 | 친인척 | 179,315 | 0.09% |
| 곽서연 | 친인척 | 189,156 | 0.09% |
| 특수관계인 합계 | - | 62,870,283 | 31.31% |
[임원현황]
| 성명 | 생년월일 | 직위 | 담당업무 | 주요경력 | 소유주식수 | 재직기간 | 임기만료일 |
| 이종홍 | 1962.09 | 사내이사 (사내이사) |
대표이사 | ·現 KEC 대표이사 ·前 운영담당총괄·前 품질경영팀장·前 KEC 운영기획팀장 ·前 KEC-W 법인장 ·충남대학교 재료공학과 |
- | 2015.09~2024.12(현재) | 2025.03.31 |
| 강래훈 | 1972.02 | 사내이사 (사내이사) |
사내이사 | ·現 KEC 이사 ·前 KEC 공동대표이사 ·前 KEC 마케팅팀장 ·前 한국전자판매 부품사업부장 |
- | 2022.04~2024.12(현재) | 2025.03.31 |
| 김태훈 | 1962.12 | 사외이사 (사외이사) |
사외이사 | ·현)파워마스터반도체 대표이사 ·前 페어차일드반도체 대표이사 ·삼성전자 반도체 수석연구원 |
- | 2020.03~2024.12(현재) | 2025.03.31 |
| 김태호 | 1956.08 | 상근감사 (감사) |
감사 | ·현)KEC 상근감사 ·前 KEC 종합기획실 인사팀장 (1983.11.14 ~ 2004.08.31재직) ·연세대 산업정보학 석사 |
- | 2016.03~2024.12(현재) | 2027.03.31 |
[배당 정보]
| 구분 | 2024년 | 2023년 | 2022년 |
| 주당 현금배당금 | 0원 (무배당) | 20원 | 60원 |
| 현금배당성향 | - (적자) | -10.5% | 39.7% |
| 현금배당수익률 | - | 1.2% | 2.9% |
8. 관련 정보
▶ KEC 홈페이지 (www.keccorp.com)





9-1 관련 기사
-제목 : KEC, SiC 공급 확대에 상한가…전력반도체 국산화 기대와 현실 사이
-날짜 : 2026년 02월 25일
-내용 : 전력반도체 업체 KEC가 글로벌 완성차 업체 대상 SiC 공급 확대 소식에 상한가를 기록했다. 회사는 전기차용 트렌치 구조 SiC MOSFET 개발에 성공하며 이 기술의 양산이 가능한 전 세계 3개 기업 중 하나로 자리매김했다. 다만 SiC 시장의 구조적 성장 가능성에도 불구하고, ON세미컨덕터 등 글로벌 대기업과의 경쟁 및 수익성 과제가 지속되고 있다.
-링크 : https://www.creditnews.kr/news/articleView.html?idxno=2433
9-2 관련 기사
-제목 : KEC, 2024년 영업손실 131억원…적자폭 축소
-날짜 : 2025년 02월 10일
-내용 : KEC는 2024년 연결 기준 영업손실 131억원을 기록했으며, 이는 전년도 330억원 대비 약 60% 감소한 수치다. 같은 기간 매출액은 2,069억원에서 2,432억원으로 17.5% 증가했다. 회사 측은 판매량 확대에 따른 이익 개선이라고 설명했으며, 적자폭이 크게 축소되었으나 여전히 흑자 전환에는 이르지 못했다.
-링크 : https://www.bloter.net/news/articleView.html?idxno=631043
9-3 관련 기사
-제목 : KEC, 국내 및 해외 기관과 계약 체결로 SiC MOSFET 사업화 가속
-날짜 : 2023년 05월 25일
-내용 : 차세대 전력반도체 기업 KEC가 국내외 기관과의 계약을 통해 SiC MOSFET 사업화를 가속하고 있다. 회사는 트렌치형과 플래너형 SiC MOSFET을 모두 개발하는 독자적 역량을 보유하며, 제조 공정의 70%를 자체 확보하고 30%는 부산테크노파크에 위탁하고 있다. 대만 및 일본의 양산 역량 보유 기업들과도 사업 협력을 추진 중이다.
-링크 : https://www.etnews.com/20230524000134
9-4 관련 기사
-제목 : KEC, 수입의존 100% SiC 전력반도체 국내 최초 국산화 성공
-날짜 : 2022년 04월 04일
-내용 : KEC가 5년간의 연구개발 끝에 기존 100% 수입에 의존하던 트렌치형 SiC 전력반도체의 국산화에 성공했다. 산업통상자원부 위탁과제인 전기차 및 신재생에너지용 1200V급 트렌치형 SiC MOSFET 소자 개발을 완료했으며, 전 세계적으로 이 기술의 양산이 가능한 기업은 2곳에 불과하다. KEC는 확보한 기술을 바탕으로 차량용, 산업용, 소비자용 시장으로 영역을 확장할 계획이다.
-링크 : https://www.fnnews.com/news/202204040920423839
9-5 관련 기사
-제목 : KEC, 없어서 못파는 SiC 전력반도체…전세계 유명 전기차 업체 퀄테스트
-날짜 : 2021년 10월 18일
-내용 : 전력반도체 전문기업 KEC가 전기차 및 데이터센터 시장 성장에 힘입어 주가가 강세를 보이고 있다. 회사는 트렌치 구조의 SiC 전력반도체 개발에 성공했으며, 이 기술을 보유한 글로벌 기업은 2곳에 불과하다. 글로벌 완성차 업체의 퀄리피케이션 테스트를 진행 중이며, 기존 실리콘을 대체하는 SiC 반도체의 EV 시장 확대 수혜가 기대된다.
-링크 : https://www.asiae.co.kr/article/2021101811124218771
10. 사업 검토
[향후 극복 필요한 기술장벽]
▶ SiC MOSFET 양산 수율 확보 : 트렌치형 SiC MOSFET 개발에는 성공했으나, 양산 수율을 상업적 수준으로 끌어올리는 것이 핵심 과제입니다. SiC 웨이퍼의 결정 결함과 게이트 산화막 신뢰성 문제를 해결해야 하며, 대규모 설비투자에 따른 감가상각 비용이 단기 실적을 압박하고 있습니다.
▶ 적자 기조 탈피 : 연 매출 약 2,330억 원 규모에서 1,000억 원이 넘는 설비투자를 감행하면서 2023~2024년 연속 영업적자를 기록하고 있습니다. SiC·IGBT 양산 물량 확대를 통한 매출 성장과 가동률 상승이 흑자 전환의 관건입니다.
▶ 중국 전력반도체 업체와의 가격 경쟁 : 범용 Si 기반 다이오드·트랜지스터 시장에서 중국 업체들의 저가 공세가 심화되고 있어, 고부가가치 차량용·SiC 제품으로의 포트폴리오 전환 속도가 중요합니다.
| 구분 | KEC | DB하이텍 | 예스파워테크닉스 | 온세미컨덕터 |
| 주요 사업 | 전력반도체 IDM (다이오드~SiC) | 파운드리 (아날로그·전력) | 전력모듈 제조 | SiC MOSFET·IGBT (글로벌) |
| 매출(2024) | 2,330억 | 약 5,300억 | 약 700억 | 약 8.1조 (USD 5.9B) |
| 강점 | 전·후공정 일관 체제, SiC 국산화 | 자체 Fab, 안정적 파운드리 | 전력모듈 특화 | SiC 글로벌 1위급 |
| 약점 | 2년 연속 적자, 투자 부담 | 8인치 Fab 노후화 | 소규모, 인지도 낮음 | 중국 시장 규제 리스크 |
[핵심 분야별 성장성 분석]
▶ SiC 전력반도체 : 글로벌 SiC MOSFET 모듈 시장은 2026년 약 10.2억 달러에서 2035년 41.4억 달러로 연평균 17% 성장이 전망됩니다. KEC는 국내 유일의 SiC 양산 가능 기업으로, 글로벌 완성차 업체향 공급 확대가 가시화되면 폭발적 성장이 가능하나 양산 일정과 수율 확보가 관건입니다.
▶ 차량용 IGBT : 전기차 전장화 확대에 따라 차량용 IGBT 수요가 지속 증가하고 있으며, KEC는 국내 가전·전장 고객사 대상으로 국산화 대체 공급을 확대 중입니다. 구미공장 8인치 IGBT 투자 완료 시 본격적인 매출 기여가 예상됩니다.
▶ 범용 전력반도체 : 다이오드·트랜지스터 등 기존 Si 기반 범용 제품은 중국 업체의 가격 경쟁으로 마진 축소 추세이나, 50년 이상 축적된 제조 노하우와 품질 인증으로 가전·산업용 시장에서 안정적 매출을 유지하고 있습니다.
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